最近，国内半导体又传出好音信。

据官网先容，清华大学化学系许华平训诫团队在极紫外（EUV）光刻材料鸿沟得回絮叨性发挥。他们竖立出一种基于聚碲氧烷（Polytelluoxane, PTeO）的新式光刻胶体系，为先进半导体制造提供了的材料想象范式。联系谋略后果于本月16日发表于海外顶级期刊《科学发挥》（Science Advances）。

在先进芯片制造方面，EUV光刻机是不得不提的进攻构成。而EUV光刻机的中枢即是光源。

但是，EUV光源存在反射损耗高、光子诓骗率低等本领瓶颈，这对光刻胶的吸成服从、反应选择性和劣势禁止提议了更高条目。

现时，主流的EUV光刻胶多经受化学放大机制或金属敏化团簇计谋提高贤人度，但多量存在组分复杂、微不雅散播不均、反应扩散效应权贵等问题，导致随即劣势难以禁止。

若何构建兼具高吸成服从、快速反映特色和优异均一性的理念念光刻胶体系，照旧EUV光刻材料鸿沟的中枢挑战。

学术界多量合计，理念念的EUV光刻胶需清脆四或者害盘算：

①超高EUV给与通盘以镌汰曝光剂量；

②高效的光能-化学能调度服从；

③分子级均一的化学构成；

④超小功能基元尺寸（<1nm）。

①超高EUV给与通盘以镌汰曝光剂量；

②高效的光能-化学能调度服从；

③分子级均一的化学构成；

④超小功能基元尺寸（<1nm）。

但是，现存材料体系往往难以兼顾上述。

许华平训诫团队基于前期聚碲氧烷谋略基础，篡改性地提议"单组元强给与-主链断裂"协同计谋。

通过将高EUV给与截面的碲元素以Te-O共价键体式引入团员物主链，得手构建出具有絮叨性性能的PTeO光刻胶体系。

据悉，碲的EUV给与截面高达~10^5 Mbarn，远超传统元素及金属敏化剂，且Te-O键解离能与EUV光子能量齐备匹配，可好意思满高效的光致断键反应。

因此，该材料仅需单组份团员即可变成均一纳米结构，在保捏分子轨范均一性的同期，将尺寸平缓至亚纳米级别。

清华大学示意开云(中国)Kaiyun·官方网站 - 登录入口，该谋略提议的和会高给与元素Te､主链断裂机制与材料均一性的光刻胶想象旅途,有望激动下一代EUV 光刻材料的发展,助力先进半导体工艺本领阅兵｡